Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов

1. Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В работе снимаются передаточные и выходные характеристики.

2. Подготовка к работе

Изучить следующие вопросы курса:

1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.
2. Схемы включения ПТ.
3. Статические характеристики.
4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

 

Ответить на следующие контрольные вопросы:

1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом, барьером Шоттки и изолированным затвором.
2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом , с барьером Шоттки и с изолированным затвором.


4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов и структур.
5. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
6. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.


7. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа “p” и “n”.


8. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.

Литература

1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.
2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).
3. Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).
4. Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).
   
   
5. Конспект лекций.

3. Схема исследования

На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом n-типа.

Ко входу ПТ ( участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение U_ЗИ. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение U_CИ.

Рисунок 3.1-Схема для исследования статических характеристик ПТ.

5. Порядок проведения экспериментов

5.1. Собрать схему " Рисунок 3.1" . Ввести тип транзистора согласно варианта (приложение 1).

5.2. Установить U_CИ=10В. Определить напряжение отсечки U_3ИО (определить напряжение U_3И, при котором ток стока снизится до 10 мкА). Разбить интервал на 6-8 значений Снять передаточную характеристику I_C=F(U_3И). Результаты измерений занести в таблицу 3.1. Пример таблицы для транзистора КП302А приведен ниже.

Таблица 3.1- Транзистор КП302А.

UЗИ, В	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8
IС , мА	13,11	10,08	7,439	5,187	3,336	1,885	0,842	0,209	0,002

5.3. Снять выходные характеристики транзистора при трех значениях напряжения на затворе U_ЗИ, в том числе при U_{ЗИ 1}= 0, U_{ЗИ 2 »} 0,25 × U_ЗИО и U_{ЗИ 3»} 0,5 × U_ЗИО. Напряжение U_СИ менять от 0 до значения примерно равное 2× U_ЗИО. В нашем случае снимаем характеристики при U_ЗИ=0, -2, -4 В и напряжение U_СИ можно ограничить 15 В. Результаты измерений внести в таблицу 3.2.

Таблица 3.2- Транзистор КП302А.

UЗИ, В	UСИ, В	0	1	2	4	6	8	10	15
0	IС, мА	0	2,85	5,36	9,36	11,92	12,96	13,11	13,46
-2		0	2,12	3,9	6,34	7,27	7,36	7,44	7,64
-4		0	1,37	2,37	3,22	3,26	3,3	3,37	3,43

 

6. Указания к составлению отчета

Отчет должен содержать:

1. Схему исследований транзистора.
2. Таблицы с результатами исследований.
3. График характеристики прямой передачи.
4. Семейство выходных характеристик.

Примеры характеристик для транзистора КП302А приведены ниже.

Рисунок 3.2- Характеристики прямой передачи для транзистора JN3458.

Рисунок 3.3- Выходные характеристики полевого транзистора JN3458.

назад | главная | вперед